[发明专利]一种可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法

摘要

本发明涉及一种可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法。现有的栅极制作方法在进行干法刻蚀过程时所使用的氯气含量过高致使在栅极上形成底切，如此将会缩短晶体管有效沟道宽度，从而造成晶体管器件参数偏离正常范围。本发明的可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法首先在晶圆衬底上淀积一多晶硅层，然后对该多晶硅层进行光刻，之后使用含有流量范围为5scmm到9sccm氯气的气体对该多晶硅层进行干法刻蚀来形成多晶硅栅极。采用本发明的方法可避免在多晶硅栅极上生成底切，使晶体管器件参数控制在正常范围，大大提高晶体管的成品率。

主权项

1. 一种可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法，该方法首先在晶圆衬底上淀积一多晶硅层，然后对该多晶硅层进行光刻，之后使用含有氯气的气体对该多晶硅层进行干法刻蚀来形成多晶硅栅极，其特征在于，在该干法刻蚀过程中，该氯气的流量范围为5scmm到9sccm。