[发明专利]一种非易失性储存器件选择栅极的制作方法有效
| 申请号： | 200710037477.7 | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101246855A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 吴佳特;许宗能;刘晶 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非易失性储存器件选择栅极的制作方法，用于在制成沟槽隔离区和有源区后制作选择栅极，该有源区从下到上依次淀积有绝缘多晶硅层和抛光缓冲层，该选择栅极由第一多晶硅层、绝缘层和第二多晶硅层组成，其中，该绝缘层上开设有接触窗口。现有接触窗口为连续的长条状，故需使用最小特征尺寸较小且造价较高的光罩进行光刻。本发明的方法先去除有源区的抛光缓冲层；再光刻并刻蚀沟槽隔离区以使绝缘多晶硅层凸出于该沟槽隔离区；接着淀积第一多晶硅层并使其平坦化；然后淀积绝缘层；之后光刻并刻蚀出接触窗口，该接触窗口为多个排布在同一直线上的长方形；最后淀积第二多晶硅层。采用本发明的方法可大大节约光刻接触窗口的光罩的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性 储存 器件 选择 栅极 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失性储存器件选择栅极的制作方法，用于在制成沟槽隔离区和有源区后制作选择栅极，其中，该有源区从下到上依次淀积有绝缘多晶硅层和抛光缓冲层，该选择栅极由第一多晶硅层、绝缘层和第二多晶硅层组成，其中，该绝缘层上开设有供第一多晶硅层和第二多晶硅层相连接的接触窗口，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)去除有源区的抛光缓冲层；(2)光刻并刻蚀沟槽隔离区以使绝缘多晶硅层凸出于该沟槽隔离区；(3)淀积第一多晶硅层并使该第一多晶硅层平坦化；(4)淀积绝缘层；(5)光刻并刻蚀以形成接触窗口，该接触窗口为多个排布在同一直线上的长方形；(6)淀积第二多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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