[发明专利]半导体隔离结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200710037674.9 | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101246837A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成牺牲氧化层；在牺牲氧化层上形成掩膜，图案化所述掩膜，从而在半导体衬底上定义出有源区和隔离区；通过牺牲氧化层向隔离区注入氧离子和氮离子；除去掩膜；对半导体衬底进行退火，形成隔离结构；去除牺牲氧化层。不仅工艺简单，而且避免现有技术中STI隔离结构的形成工艺中制作工艺复杂，并且衬氧化层与半导体衬底之间以及衬氧化层与氮氧化硅层之间都存在应力的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成牺牲氧化层；在牺牲氧化层上形成掩膜，图案化所述掩膜，在半导体衬底上定义出有源区和隔离区；通过牺牲氧化层向隔离区注入氧离子和氮离子；除去掩膜；对半导体衬底进行退火，形成隔离结构；去除牺牲氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
