[发明专利]一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200710037907.5 | 申请日： | 2007-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101016616A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 谢琦;蒋玉龙;屈新萍;茹国平;李炳宗 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/18;C23C14/58;C22F1/08 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体为一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法。其步骤为先制备一种和铜不易发生互溶、扩散、反应的但具有高界面能的衬底，用常规物理气相淀积的方法沉积铜薄膜，在刚淀积的铜薄膜中即可产生纳米尺度孪晶。为增大铜晶粒尺寸并且提高铜孪晶密度还可以进行适当温度的退火处理。本方法仅需要制备一种衬底就可以用常规物理气相淀积的方法制备孪晶铜薄膜，因此具有简单、方便、实用性强的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 尺度 孪晶铜 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤如下：(1)在硅基片上，用物理气相沉积方法制备一种和Cu具有高界面能的衬底，此衬底同时还具有和铜不易发生互溶、扩散、反应的性质，衬底厚度为10-100nm；(2)然后，在该衬底上用物理气相淀积的方法淀积一层铜薄膜，刚淀积的铜薄膜中即可形成纳米尺度孪晶。
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