[发明专利]衰减式相位移光罩的制造方法有效
| 申请号： | 200710039201.2 | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101281359A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杨青 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种衰减式相位移光罩的制造方法，涉及半导体制造领域。该制造方法包括如下步骤：a.提供光罩基片，其包括完全透光的石英玻璃及位于石英玻璃上面具有透光率的移相层，移相层上形成有原始图形；b.对光罩基片进行模拟侦测步骤，采用比实际照射该光罩基片的光束强度高的光束进行照射，在移相层上出现亮度环的位置做标记图形；c.在移相层上镀不透光薄膜，覆盖所述标记图形。与现有技术相比，本发明通过模拟侦测，在光罩可能产生亮度环的位置为做标记图形，在移相层上镀不透光薄膜覆盖标记图形的方法，避免了对晶圆接触层的曝光步骤后，接触层对应亮度环位置处产生不期望的旁瓣图形的现象，提高了晶圆电路准确性，进而提高晶圆成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 衰减 相位 移光罩 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种衰减式相位移光罩的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a.提供光罩基片，其包括完全透光的石英玻璃及位于石英玻璃上面具有透光率的移相层，移相层上形成原始图形；b.对光罩基片进行模拟侦测步骤，采用比实际照射该光罩基片的光束强度高的光束进行照射，在移相层上出现亮度环的位置做标记图形；c.在移相层上镀不透光薄膜，覆盖所述标记图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710039201.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于声道参数的汉语耳语音声调识别方法
- 下一篇：发卡
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
