[发明专利]光刻胶的去除方法及光刻工艺的返工方法无效
| 申请号： | 200710039253.X | 申请日： | 2007-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101281379A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杨光宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F7/36;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光刻胶的去除方法，包括：提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面有光刻胶层；在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光刻胶层，使所述光刻胶层厚度减薄；用等离子体轰击去除所述光刻胶层；用湿法清洗所述半导体晶片表面。所述方法可用于光刻工艺的返工方法中。本发明方法能够将所述半导体晶片表面的光刻胶去除干净，并不会对所述半导体晶片表面造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 工艺 返工 | ||
【主权项】：
1. 一种光刻胶的去除方法，包括：提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面有光刻胶层；在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光刻胶层，使所述光刻胶层厚度减薄；用等离子体轰击去除所述光刻胶层；用湿法清洗所述半导体晶片表面。
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