[发明专利]掩膜布局的测量方法无效
| 申请号： | 200710039424.9 | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101286008A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 陆梅君;梁强 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掩膜布局的测量方法，其先置将一掩膜置放于检测机台上，并针对此掩膜上多个图案、与图案之间所夹设的间隙区域进行检测，最后根据所获得的图案、间隙区域的测量结果以判定掩膜是否为成品、废品或是需要再次加工的返工品。因此，本发明所提供的掩膜布局的测量方法可同时检测经由曝光工艺所形成的图案外，亦同时对于此些图案之间的相对位置进行检测，可确保掩膜中整体布局图案的正确性，以提升掩膜的质量并可提供充足的信息以做为工艺调整参考。 | ||
| 搜索关键词： | 布局 测量方法 | ||
【主权项】：
1. 一种掩膜布局的测量方法，其特征在于包括下列步骤：(a)置放一掩膜于一检测机台，且该掩膜上形成多个图案；(b)透过该检测机台以于该掩膜上先选取相邻的二该图案，且该二该图案中，一该图案的一端与另一该图案的一端之间夹设一间隙区域；(c)分别测量二该图案、该间隙区域的尺寸并进行记录；(d)在完成步骤(c)后，自该掩膜上的该些图案再次选取其中的二该图案并重复上述步骤(b)至步骤(C)所述的方法，直到相对应的所有该图案皆已完成测量；以及(e)根据该些图案与该些间隙区域的测量结果以决定该掩膜的后续工艺。
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