[发明专利]侦测反应室内晶片温度分布的方法无效
| 申请号： | 200710039426.8 | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101286466A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王雷;张炳一 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种侦测反应室内晶片温度分布的方法，其利用于晶片上形成一温度变化会导致电阻值产生变化的监控层，来对置于反应腔室内的晶片在升温过程时，晶片上各区域接收到的热能分布状态进行监控。其中该监控层可以是铝、钛堆栈层，其会因为接收到热能，而反应生成铝钛中间相，使电阻值显著上升。 | ||
| 搜索关键词： | 侦测 反应 室内 晶片 温度 分布 方法 | ||
【主权项】：
1、 一种侦测反应室内晶片温度分布的方法，其特征在于包括下列步骤：提供一晶片；在该晶片上形成一监控层，其中该监控层的电阻值会随着温度变化；将该晶片置于一待测的反应腔室内，进行热处理；测量该监控层电阻值的变化，以获得该反应腔室内对一晶片进行升温时，晶片的各区域受热状态分布图。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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