[发明专利]一种清洗等离子刻蚀残留物的清洗液无效
| 申请号： | 200710039663.4 | 申请日： | 2007-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101290482A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修;曾浩 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体工业中清洗等离子刻蚀残留物的清洗液，其含有：柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液、氟化物、高分子腐蚀抑制剂、抗冻剂和溶剂。本发明的清洗液可有效地清洗半导体制造过程中等离子刻蚀残留物，同时对于非金属和金属基材，如Si、SiO2、四乙氧基硅烷二氧化硅(PETEOS)、低介质材料、Ti、Al和Cu等，具有较低的蚀刻速率，并且对环境和人体安全无害，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 等离子 刻蚀 残留物 | ||
【主权项】：
1.一种清洗等离子刻蚀残留物的清洗液，其特征在于含有：柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液、高分子腐蚀抑制剂、抗冻剂、氟化物和溶剂。
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