[发明专利]一种无碲存储材料、制备方法及应用有效
| 申请号： | 200710040302.1 | 申请日： | 2007-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101049934A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 张挺;宋志棠;刘波;刘卫丽;封松林;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B33/06 | 分类号： | C01B33/06;C23C14/35;C23C14/06;G11B7/24 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种无碲存储材料、制备方法及应用。其特征在于所述的存储材料为硅－锑混合物，组成通式为SixSb100－x，0＜x＜90，优先推荐组成为5≤x≤70。所述的材料在外部能量作用下为电驱动、激光脉冲驱动或电子束驱动。通过调整这种材料中两种元素的组份，可以得到具有不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。所提供的材料体系具备如下优点：较好的可调性、较强的数据保持能力、较简单的成份和制备工艺、对半导体设备没有污染、较好的可加工性、环境友好性等，具有广阔的应用前景。硅－锑合金材料是用于存储器的理想存储介质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1、一种无碲存储材料，其特征在于所述的存储材料为硅-锑的混合物，组成通式为SixSb100-x，0＜x＜90。
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