[发明专利]一种直径可调的硅量子线阵列的制备方法

摘要

本发明属于纳米发光材料制备技术领域，具体为一种直径可调的硅量子线阵列的制备方法。其步骤包括利用离子束设备在硅片表面进行辐射，生成致密有序的硅量子共阵列，然后在真空蒸镀系统中蒸镀铝电极；在电化学腐蚀系统中在硅片背面蒸镀连接电源的电极，并最终生成硅量子线阵列。本发明方法简便易行，量子线阵列的直径可控。

主权项

1、一种直径可调的硅量子线阵列的制备方法，其特征在于具体步骤如下：(1)利用氩离子束设备对硅片表面进行辐射，控制离子束流密度为1μA/cm2～800μA/cm2，用不同的束流密度辐射1-3次，生成致密有序的硅量子点阵，量子点大小可控范围为1nm～70nm；(2)将表面具有硅量子点阵的硅片放入真空蒸镀系统，在硅片背面蒸镀铝电极，真空度需要小于2.0×10-3Pa。(3)将经上述处理的硅片放入电化学腐蚀系统，使硅片正面接触电化学腐蚀液，蒸镀有铝电极的背面接电源的电极。控制腐蚀条件如电流1mA～100mA，腐蚀时间1s～1hour，最终生成硅量子线阵列。