[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200710040626.5 | 申请日： | 2007-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101303987A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 沈满华;张世谋;王新鹏;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上具有铝焊垫，在所述半导体结构和铝焊垫上具有钝化层；在所述钝化层上形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，形成开口图案；刻蚀所述开口图案底部的钝化层，在所述钝化层中形成开口；去除所述光刻胶层；用含有硫酸和双氧水的水溶液清洗所述开口底部和侧壁；用含有氢氟酸和氨水的水溶液清洗所述开口底部和侧壁。本发明可去除在刻蚀钝化层的工艺时产生的聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上具有铝焊垫，在所述半导体结构和铝焊垫上具有钝化层；在所述钝化层上形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，形成开口图案；刻蚀所述开口图案底部的钝化层，在所述钝化层中形成开口；去除所述光刻胶层；用含有硫酸和双氧水的水溶液清洗所述开口底部和侧壁；用含有氢氟酸和氨水的水溶液清洗所述开口底部和侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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