[发明专利]熔丝结构及其形成方法

摘要

一种熔丝的形成方法，包括依次在半导体衬底上形成第一介质层和多晶硅层；在多晶硅层中形成至少两个相邻掺杂区域导电类型相反的掺杂区域；在多晶硅层上依次形成硅化物层和第二介质层；在第二介质层上中形成填充有导电材料的通孔及在通孔上形成金属垫。相应地，本发明还提供一种熔丝结构。本发明通过采用形成晶体管的多晶硅层作为熔丝的多晶硅层、采用源/漏极的离子注入和形成源/漏延伸区的离子注入形成熔丝结构的不同掺杂区，在编程前后，熔丝结构的电阻值相差较大，利于编程前后状态的检测，同时与现有标准CMOS工艺完全兼容，没有增加额外的掩模版和掺杂工艺、没有增加工艺成本。

主权项

1.一种熔丝的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；依次在半导体衬底上形成第一介质层和多晶硅层，所述多晶硅层采用形成晶体管的多晶硅层；在多晶硅层中形成至少两个掺杂区域，所述相邻两个掺杂区域的导电类型相反；在具有至少两个掺杂区域的多晶硅层上形成硅化物层；在硅化物层上形成第二介质层；在第二介质层中形成通孔，所述通孔暴露出硅化物层；采用导电材料填充通孔并与硅化物层相接触；在第二介质层上对着填充有导电材料的通孔位置形成金属垫。