[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 200710041164.9 | 申请日： | 2007-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101312201A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 徐锦心;朱虹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器，包括至少一个CMOS图像传感器像素单元对，所述CMOS图像传感器像素单元对包括第一像素单元和第二像素单元；CMOS图像传感器中每个所述像素单元包括光电二极管区域和驱动电路区域；其中，驱动电路区域包括有输出晶体管；第一像素单元和第二像素单元的相邻的两个输出晶体管的漏极相连，作为共用输出端。本发明还给出另一种CMOS图像传感器，通过相邻像素单元共用输出晶体管的输出接触孔和电源接触孔，降低了有效接触孔数量。这种结构使得能够在没有降低技术节点条件下设计更小尺寸的像素单元，不需要修改外围电路和工艺参数，不会增加掩模和工艺成本，降低了输出电容，提高了填充比和光学路径。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，包括：位于半导体衬底上的至少一个CMOS图像传感器像素单元对，所述CMOS图像传感器像素单元对包括列向相邻的第一像素单元和第二像素单元，所述每个像素单元包括光电二极管区域和驱动电路区域，其中，驱动电路区域形成有输出晶体管，其特征在于，第一像素单元的输出晶体管和第二像素单元的输出晶体管的漏极相连，作为共用的输出端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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