[发明专利]钛酸镧单晶及其生长技术有效
| 申请号： | 200710041328.8 | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101063232A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 吴宪君;李新华;徐家跃;张道标;顾宝林 | 申请（专利权）人： | 上海晶生实业有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B15/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 余岚 |
| 地址： | 200443上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种钛酸镧晶体，化学组成为La2Ti2O7，所述晶体为单晶。还提供一种生长钛酸镧La2Ti2O7单晶的坩埚下降法生长技术，包括以下步骤：(1)采用TiO2和La2O3作为初始原料，两者的用量比依照La2Ti2O7的化学组成，混合均匀，压块；(2)将装有步骤(1)所得压块原料的坩埚移至真空下降炉内，对整个系统升温并抽真空至10－2－10－4Pa，在炉温升至1500－1700℃时充入惰性保护气体，继续升温至设定温度，所述设定温度在1850－1950℃的范围内；(3)调整坩埚在炉膛内的位置，使原料和晶种顶部熔化，实现接种生长，晶体生长的固液界面温度梯度在20－80℃/cm的范围内，坩埚下降速率控制在0.2－10mm/h之间；(4)待晶体生长结束后，以30－120℃/h的速度将炉温降至室温，对所生长的晶体进行退火处理。所得钛酸镧单晶具有良好的结晶性能，大介电常数和高折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 钛酸镧单晶 及其 生长 技术 | ||
【主权项】：
1.一种钛酸镧晶体，其特征在于，钛酸镧的化学组成为La2Ti2O7，所述晶体为单晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海晶生实业有限公司，未经上海晶生实业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710041328.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
