[发明专利]改善微反射镜间介质层缺陷及制作硅基液晶显示器的方法有效
| 申请号： | 200710041354.0 | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101315501A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 向阳辉;曾贤成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善微反射镜间介质层缺陷的方法，包括下列步骤：首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；在金属层上沉积介质层，且介质层填充满沟槽；对介质层进行酸蚀；在介质层上形成光阻层；蚀刻光阻层和介质层至露出金属层，形成微反射镜阵列。本发明还提供一种制作硅基液晶显示器的方法。本发明对介质层进行酸蚀，使介质层在沟槽处的开口高宽比及开口宽度增大，进而在后续蚀刻工艺中在与沟槽相接的金属层上不产生绝介质层侧墙，减少了微反射镜漫反射，提高微反射镜反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 反射 介质 缺陷 制作 液晶显示器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善微反射镜间介质层缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；在金属层上沉积介质层，且介质层填充满沟槽；对介质层进行酸蚀；在介质层上形成光阻层；蚀刻光阻层和介质层至露出金属层，形成微反射镜阵列。
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