[发明专利]半导体器件栅极残留最大允许值确定方法有效
| 申请号： | 200710041357.4 | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101315885A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件栅极残留最大允许值确定方法，包括：根据栅极残留在沟道长度方向的尺寸L和栅极厚度方向H的尺寸关系，建立栅极残留的形状模型；根据栅极残留的形状模型计算H和L取不同值时的半导体器件的电性能参数，并得到H和L与半导体器件电性能参数的关系；挑选H和L为零时的半导体器件的电性能参数为标准值，并设定存在栅极残留时半导体器件的电性能参数允许的最大波动范围为(±X％×标准值)；根据H和L与半导体器件电性能参数的关系，分别计算半导体器件的电性能参数为(1±X％)×标准值时对应的H和L；选定上步所述尺寸中的最小值作为栅极残留的最大允许值。所述方法可以对栅极残留对器件性能的影响进行定量计算和分析。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极 残留 最大 允许 确定 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件栅极残留最大允许值确定方法，其特征在于，包括如下步骤：根据栅极残留在沟道长度方向和栅极厚度方向的尺寸关系，建立栅极残留的形状模型；根据栅极残留的形状模型计算栅极残留在沟道长度方向和栅极厚度方向的尺寸取不同值时的半导体器件的电性能参数，并得到栅极残留在沟道长度方向和栅极厚度方向的尺寸与半导体器件电性能参数的关系；挑选栅极残留在沟道长度方向和栅极厚度方向的尺寸为零时的半导体器件的电性能参数为标准值，并设定存在栅极残留时半导体器件的电性能参数允许的最大波动范围为(±X％×标准值)；根据栅极残留在沟道长度方向和栅极厚度方向的尺寸与半导体器件电性能参数的关系，分别计算半导体器件的电性能参数为(1±X％)×标准值时对应的栅极残留在沟道长度方向和栅极厚度方向的尺寸；选定上步所述尺寸中的最小值作为栅极残留的最大允许值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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