[发明专利]气体控制器、气体控制器的保护装置及保护方法有效
| 申请号： | 200710041358.9 | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101315869A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 吴卫卫;于永航 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种气体控制器，包括控制头、控制杆和控制体，此外，其还包括壳体，所述壳体在靠近控制杆的一端具有第一开口，部分所述控制体通过该第一开口放置于所述壳体内；所述壳体具有第二开口，所述控制体内的气路通过该第二开口与外部相连；所述壳体还具有用于向所述壳体内充入辅助气体的进气口和用于从所述壳体内排出辅助气体的排气口。本发明的气体控制器可以有效避免液化气体经过气体控制器时易出现的气体液化的现象，具有不易损坏，使用寿命较长的优点。此外，本发明还公开了相应的气体控制器的保护装置及气体控制器的保护方法，其可以加强对气体控制器的保护，令气体控制器的使用寿命有所延长。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 控制器 保护装置 保护 方法 | ||
【主权项】：
1、一种气体控制器，包括控制头、控制杆、控制体，以及位于所述控制体内的气路，其特征在于：还包括壳体，所述壳体在靠近控制杆的一端具有第一开口，部分所述控制体通过该第一开口放置于所述壳体内；所述壳体具有第二开口，所述控制体内的气路通过该第二开口与外部相连；所述壳体还具有用于向所述壳体内充入辅助气体的进气口和用于从所述壳体内排出辅助气体的排气口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710041358.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：邻仲丁基酚的制备方法
- 下一篇：一种基于标记物检测卷烟制丝加香均匀性的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
