[发明专利]一种提高光刻技术分辨率的方法无效
| 申请号： | 200710041398.3 | 申请日： | 2007-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101063823A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种提高光刻技术分辨率的方法，利用光学原理和光敏材料的光化学反应理论，根据对特殊设计的掩模版测试图形实际曝光结果的测量和模拟计算得到光刻胶的阈值能量以及光酸生成剂的扩散长度，随后依据此数据进行1～3次曝光、1～2次显影。本发明提高了对光酸扩散长度的控制，并通过显影工艺防止了由于光酸的不良分布导致的空间图像本底提升的问题，从而得到更高的空间对比度，进一步提高光刻技术的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 光刻 技术 分辨率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高光刻技术分辨率的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：采用掩模版测试图形进行标准的曝光实验，利用电子线宽显微镜测试光刻胶的实际曝光线宽；步骤2：根据光刻胶的光化学反映理论和光学原理，由数学公式计算出与图像分辨率、光刻胶的阈值能量、光酸生成剂的扩散长度、空间频率、光刻设备物理参数相关的光酸的浓度值；步骤3：根据所述光酸的浓度值，通过反复调整曝光、显影的次数及其组合，得出曝光、显影次数最少且又符合实际产品工艺要求的曝光、显影的次数及其组合。
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