[发明专利]阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法

摘要

本发明涉及一种利用阳极氧化方法来控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的制作方法，其特征在于提出了利用沉积在氮化钽薄膜电阻上面的铝膜阳极氧化过程来控制薄膜电阻方块电阻、结构和电阻温度系数的方法。其中氮化钽薄膜电阻图形采用先反应溅射后Ion－beam刻蚀工艺制备，再利用直流溅射工艺将铝膜沉积在电阻薄膜之后进行铝多孔阳极氧化，电阻表面的铝膜被完全氧化，通过控制薄膜电阻溅射厚度和铝阳极氧化电压，可以得到精确的氮化钽薄膜电阻，其电阻温度系数为－200～－50×10^－6/℃。能够在室温～200℃的温度范围内保持线性，经过室温～200℃的10次温度循环后电阻值变化小于1％。可精确控制氮化钽薄膜电阻，适用于高密度MCM－D基板的无源电阻埋置。

主权项

1、阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法，其特征在于首先利用反应磁控溅射的方法将氮化钽薄膜沉积在微晶玻璃片上，利用离子束干法刻蚀工艺刻蚀出薄膜电阻图形刻蚀。再利用直流溅射工艺将铝膜沉积在薄膜电阻之上，采用光刻胶作掩模，在酸溶液中进行铝多孔阳极氧化，除电极位置的铝外，电阻表面和周围的铝膜被完全氧化，通过控制薄膜电阻溅射厚度和铝阳极氧化电压，制得氮化钽薄膜电阻。