[发明专利]一种低压发光宏观ZnO半导体单晶材料的制备方法无效
| 申请号： | 200710041647.9 | 申请日： | 2007-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101071835A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 郁可;张宁;朱自强;李琼;王翠翠 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30;C30B33/00;C09K11/54 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程宗德 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低压发光宏观ZnO半导体单晶材料的制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。先将宏观ZnO半导体单晶材料固定在衬底上，放入等离子体处理器的真空室，通入H2气体，调整真空室通气阀门，使真空室中的真空度保持在10～20Torr；打开等离子体处理器开关，调节离子体处理器功率为170～380W，使氢等离子气体轰击样品30～60分钟，得低压发光宏观ZnO半导体单晶材料。该技术通过对宏观ZnO半导体单晶材料进行一系列的处理，使其电阻值发生明显改变，由处理前的高于2×106Ω，降至100～5000Ω。通过本发明，不仅可使宏观ZnO半导体单晶材料的导电性大大增强，并且最终可以实现在常温低压下，宏观ZnO半导体单晶材料的发光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 发光 宏观 zno 半导体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低压发光宏观ZnO半导体单晶材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：第一步：将宏观ZnO半导体单晶材料固定在衬底上，放入等离子体处理器的真空室，抽真空至真空度1～5Torr；第二步：通入H2气体，调整真空室通气阀门，使真空室中的真空度保持在10～20Torr；第三步：打开等离子体处理器开关，调节离子体处理器功率为170～380W，使氢等离子气体轰击样品30～60分钟，得低压发光宏观ZnO半导体单晶材料。
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