[发明专利]热蒸发镀金硅片合成疏水性二氧化硅纳米纤维的方法无效
| 申请号： | 200710041969.3 | 申请日： | 2007-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101070589A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 牛俊杰;王健农 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/26 | 分类号： | C23C14/26;C23C14/08;C23C14/12;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种热蒸发镀金硅片合成疏水性二氧化硅纳米纤维的方法，属于纳米材料技术领域。本发明采用硅片作为反应衬底和硅源，以金为反应催化剂，以惰性气体氩气为保护气体，硅在金的催化作用下从硅片中析出成核生长并被氧化成二氧化硅纳米纤维，再在合成出的二氧化硅纳米纤维表面蒸镀一层全氟硅烷，从而得到接触角高于150度的超疏水性能二氧化硅纳米纤维。本发明简单易行，对环境无污染，无明显易燃危险原料；超疏水性能高，可以在许多自清洁场合得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发 镀金 硅片 合成 疏水 二氧化硅 纳米 纤维 方法 | ||
【主权项】：
1、一种热蒸发镀金硅片合成疏水性二氧化硅纳米纤维的方法，其特征在于，采用硅片作为反应衬底和硅源，以金为反应催化剂，以惰性气体氩气为保护气体，在硅片上生长二氧化硅纳米纤维，再在合成出的二氧化硅纳米纤维表面蒸镀一层全氟硅烷，从而使二氧化硅纳米纤维降低表面能，得到接触角高于150度的超疏水性能二氧化硅纳米纤维。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710041969.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
