[发明专利]稀土离子或过渡金属离子掺杂的铝镁酸钪荧光衬底

摘要

一种稀土离子或过渡金属离子掺杂的铝镁酸钪荧光衬底，该荧光衬底是：在铝镁酸钪基质晶体中掺杂稀土离子取代钪离子Sc³⁺或过渡金属离子取代铝或镁离子，作为发光中心位于氧离子形成的八面体中心而构成的。该荧光衬底制备方法可为提拉法、温度梯度法、坩埚下降法、热交换法或浮区法。利用本发明制备的荧光衬底制备白光发光二极管的优点是提高了器件发光性能的稳定性，有效地简化白光发光二极管的制备工艺，降低制造成本和提高白光发光二极管的发光效率。

主权项

1、一种稀土离子或过渡金属离子掺杂的铝镁酸钪荧光衬底，其特征在于该荧光衬底是：在铝镁酸钪基质晶体中掺杂稀土离子Re3+作为发光中心取代钪离子Sc3+，位于氧离子形成的八面体中心，其结构式为：Re3+ x:Sc(1-x)AlMgO4，其中x的取值范围为：1％≤x≤5％；或在铝镁酸钪基质晶体中掺杂过渡金属离子TM(2～6)+作为发光中心取代铝或镁离子，位于氧离子形成的六面体中心，化学式为：xTM:ScAlMgO4，其中掺杂过渡金属氧化物占基质料的质量比x的取值范围为：1％≤x≤10％。