[发明专利]互补金属氧化物半导体器件应力层的形成方法有效
| 申请号： | 200710042138.8 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101330053A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 吴汉明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种CMOS器件应力层的形成方法，在NMOS和PMOS晶体管表面形成张应力层；在张应力层表面涂布正光刻胶；利用一掩膜版图案化所述正光刻胶，形成暴露PMOS晶体管表面的张应力层的光刻胶掩膜图形；刻蚀PMOS晶体管表面的张应力层并移除所述光刻胶掩膜图形；在张应力层和PMOS晶体管表面再沉积压应力层；在压应力层表面涂布负光刻胶；利用所述掩膜版图案化所述负光刻胶，形成暴露NMOS晶体管表面的压应力层的光刻胶掩膜图形；刻蚀NMOS晶体管表面的压应力层并移除光刻胶掩膜图形。本发明用同一块掩膜版便可形成张应力和压应力层的光刻胶掩膜图形，不但降低了制造成本，而且提高了张应力层和压应力层的衔接精度。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体器件 应力 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种CMOS器件应力层的形成方法，所述CMOS器件包括PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述方法包括下列步骤：在所述NMOS晶体管和PMOS晶体管表面形成第一应力层；在所述第一应力层表面涂布第一光刻胶；利用一掩膜版图案化所述第一光刻胶，形成暴露PMOS晶体管表面的第一应力层的第一光刻胶掩膜图形；刻蚀所述PMOS晶体管表面的第一应力层并移除所述第一光刻胶掩膜图形；在所述第一应力层和PMOS晶体管表面沉积第二应力层；在所述第二应力层表面涂布第二光刻胶；利用所述掩膜版图案化所述第二光刻胶，形成暴露NMOS晶体管表面的第二应力层的第二光刻胶掩膜图形；刻蚀所述NMOS晶体管表面的第二应力层并移除所述第二光刻胶掩膜图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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