[发明专利]刻蚀工艺条件的检验及优化方法有效
| 申请号： | 200710042147.7 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101329983A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 颜进甫;杨中辉;陈文丽;李玉科;蔡信裕;孙智江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀工艺条件的检验方法，包括步骤：提供第一衬底和第二衬底；在所述第一衬底上沉积停止层；在所述第一衬底上的所述停止层上沉积具有第一厚度的材料层；在所述第二衬底上沉积具有第二厚度的材料层，且所述第一厚度不大于所述第二厚度；在所述第一衬底和第二衬底的材料层上分别定义刻蚀图形；对所述第一衬底和第二衬底上的所述材料层进行刻蚀；检测所述刻蚀的结果；根据所述结果判断所述刻蚀的工艺条件是否满足要求。采用本发明的检验方法可以检验所用的刻蚀工艺条件是否能具有一定的工艺窗口，以确保刻蚀工艺的一致性。本发明还相应提供了一种刻蚀工艺条件的优化方法，可以根据检测的结果实现对刻蚀工艺条件的调整及优化。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 工艺 条件 检验 优化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种刻蚀工艺条件的检验方法，其特征在于，包括步骤：提供第一衬底和第二衬底；在所述第一衬底上沉积停止层；在所述停止层上沉积具有第一厚度的材料层；在所述第二衬底上沉积具有第二厚度的材料层，且所述第一厚度不大于所述第二厚度；在所述第一衬底和第二衬底的材料层上分别定义刻蚀图形；对所述第一衬底和第二衬底上的所述材料层进行刻蚀；对所述刻蚀的结果进行检测，当所述第一衬底上的刻蚀图形底部未露出衬底，所述第二衬底上的刻蚀图形底部已露出衬底时，确定所述刻蚀工艺条件满足工艺窗口的要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
