[发明专利]晶片表面材料层的处理系统和方法有效
| 申请号： | 200710042157.0 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101329984A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 吴汉明;张春光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/268;H01L21/3105;H01L21/336;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片表面材料层的处理系统和方法，所述系统包括处理室、射频功率源，和与所述射频功率源连接的激励线圈，所述处理室内上部充满被所述射频功率源和激励线圈电离的等离子体，所述半导体晶片置于所述处理室内底部，在所述等离子体与所述半导体晶片之间具有透明材料层，所述等离子体发射的紫外光透过所述透明材料层照射在所述半导体晶片表面材料层。本发明的晶片表面材料层的处理系统和方法能够从根本上解决利用紫外线对材料层进行处理时紫外线光强度均匀性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 表面 材料 处理 系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶片表面材料层的处理系统，所述系统包括处理室、射频功率源，和与所述射频功率源连接的激励线圈，所述处理室内上部充满被所述射频功率源和激励线圈电离的等离子体，所述半导体晶片置于所述处理室内底部，在所述等离子体与所述半导体晶片之间具有透明材料层，所述等离子体发射的紫外光透过所述透明材料层照射在所述半导体晶片表面材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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