[发明专利]用于化学干式蚀刻系统的系统和方法

摘要

一种用于化学干蚀刻系统的系统和方法。本发明提供了一种执行用于集成电路制造的蚀刻工艺的方法。该方法包括提供半导体晶片，所述半导体晶片包括待在等离子体室中进行蚀刻的层。该方法还包括将半导体晶片保持在预定环境中的步骤。该方法包括使层的一部分经受等离子体环境。等离子体环境包括一种或更多种等离子体物质。例如，等离子体物质用于执行蚀刻。该方法还包括使用感测设备监视第一传输装置中的压力条件。传感设备在空间上配置在阀和抽运设备之间。阀耦合到等离子体室所耦合的第二排气装置。该方法还包括确定在第一排气装置内的压力条件是否在预定条件内。该方法包括，如果在第一排气装置内的压力条件在预定条件内，则通过第一排气装置、通过阀以及通过第二排气装置将一种或多种等离子体物质去除。

主权项

1.在化学干式蚀刻系统中，一种或多种气体被引入第一室中，经过微波功率源处理以形成一种或多种等离子体物质，所述一种或多种等离子体物质从第一室传递到第二室，其中在所述第二室，至少一个衬底经受一种或更多种等离子体物质，在所述至少一个衬底经受所述一种或更多种等离子体物质后，通过一种排气系统来处理所述一种或更多种等离子体物质，所述排气系统包括：系统控制器，配置成接收多个反馈信号并提供多个控制信号；抽运设备，配置成响应于来自所述由系统控制器的多个控制信号中的启动信号而启动，并将所述多个反馈信号中的验证信号提供到所述系统控制器；第一阀，配置成响应于从所述系统控制器所接收的所述多个控制信号中的第一信号而打开，并响应于从所述系统控制器所接收的所述多个控制信号中的第二信号而关闭；传输装置，包括第一连接和第二连接，其中所述第一连接连接到所述第一阀，且所述第二连接连接到所述抽运设备；压力量具，配置成测量所述传输装置的压力，并将所述多个反馈信号中的压力信号提供到所述系统控制器，其中所述多个反馈信号中的压力信号与所述传输装置的测量压力相关联。