[发明专利]用于在存储器结构中形成自对准共源极的方法和装置有效
| 申请号： | 200710042205.6 | 申请日： | 2007-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101330056A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 吴佳特;李绍彬;高建玉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于在存储器结构中形成自对准共源极的方法，包括以下步骤：在基底上形成多条字线，其中每条字线的两侧分别为源极区域和漏极区域；在源极区域进行光刻以形成光阻层，其中光阻层覆盖漏极区域和部分字线；对光阻层未覆盖的源极区域进行蚀刻以将所有源极区域连通为共源区域以及通过离子束对共源区域进行离子注入以形成自对准共源极，离子束的入射方向与基底表面的法线相隔一倾斜角。另外，本发明还提供实现以上方法的装置。采用以上技术方案，使得共源区域边界下的侧向搀杂浓度显著增加，从而在源区尺寸持续减小的情况下，共源极的电阻始终能保持大尺寸共源极同样的水平，共源极阻值降低到符合要求的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 结构 形成 对准 共源极 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于在存储器结构中形成自对准共源极的方法，包括以下步骤：在基底上形成多条字线，其中每条字线的两侧分别为源极区域和漏极区域；在所述源极区域进行光刻以形成光阻层，其中所述光阻层覆盖所述漏极区域；对所述光阻层未覆盖的源极区域进行蚀刻以将所有源极区域连通为共源区域；以及通过离子束对所述共源区域进行离子注入以形成所述自对准共源极，所述离子束的入射方向与基底表面的法线相隔一倾斜角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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