[发明专利]一种可避免快速热处理被氧气污染的方法有效
申请号: | 200710042411.7 | 申请日: | 2007-06-22 |
公开(公告)号: | CN101329988A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 许世勋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种可避免快速热处理被氧气污染的方法,其在进行快速热处理前进行,该快速热处理在一至少具有一热处理腔室和一氧气超标警示器的快速热处理设备中进行,该腔室底部设有承片架、垂直设置在承片架下的支撑探针和用于容置该支撑探针的容置凹槽,该支撑探针可从容置凹槽中弹出。现有技术仅通入氮气对热处理腔室进行简单清洗后就进行快速热处理,易导致其被氧气污染。本发明的方法先对热处理腔室进行预设参数的设定;然后将该标准值设定为非正常警示值,并开启氧气超标警示器,且静置一预设时间;之后驱动支撑探针多次弹出和缩进该容置凹槽;最后将氧气超标警示器的标准值调整到正常警示值。采用本发明的方法可避免快速热处理被氧气污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 避免 快速 热处理 氧气 污染 方法 | ||
【主权项】:
1、一种可避免快速热处理被氧气污染的方法,其在进行快速热处理前进行,该快速热处理在一快速热处理设备中进行,该快速热处理设备至少具有一热处理腔室和一在该腔室氧气浓度超过一标准值时发出警示的氧气超标警示器,该氧气超标警示器具有用于设定该标准值的设定单元,该腔室底部由上至下依次设置有用于放置晶圆的承片架、与该承片架垂直的多个支撑探针和用于容置该支撑探针的容置凹槽,该支撑探针可从容置凹槽中弹出将晶圆从承片架上顶起,其特征在于,该可避免快速热处理被氧气污染的方法包括以下步骤:(1)对该热处理腔室进行一预设参数的设定;(2)通过设定单元将该标准值设定为非正常警示值,并开启氧气超标警示器,且静置一预设时间,其中,该热处理腔室中最高氧气浓度低于该非正常警示值;(3)驱动支撑探针多次弹出和缩进该容置凹槽,以将该容置凹槽中残留的氧气排出;(4)通过设定单元将该标准值设定为正常警示值,以使该氧气超标警示器对热处理腔室的漏气发出警示。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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