[发明专利]检测及建立应用于噪声的MOS管模型的方法有效
| 申请号： | 200710042459.8 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101329695A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄俊诚;赵芳芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种建立应用于噪声的MOS管模型的方法，包括，测量不同晶粒上的MOS管的噪声；根据所得到的MOS管的噪声值，建立噪声分布图；至少添加一个原有噪声模型文件中的噪声参数的变化量到MOS管库文件中来对MOS管进行噪声仿真；如果仿真结果不能够覆盖噪声分布图中的数据，则继续改变噪声参数的变化量的值进行仿真直到仿真结果能够覆盖噪声分布图中的噪声数据；如果仿真结果能够覆盖噪声分布图中的数据，则将相应的噪声参数的变化量的值代入到MOS管库文件中作为应用于噪声的MOS管模型。通过本发明方法得到的应用于噪声的模型能够较精确地模拟真实情况。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 建立 应用于 噪声 mos 模型 方法 | ||
【主权项】：
1.一种建立应用于噪声的MOS管模型的方法，其特征在于，包括下列步骤，测量不同晶粒上的MOS管的噪声；根据所得到的MOS管的噪声数据，建立噪声分布图；至少添加一个噪声模型文件中的噪声参数的变化量到MOS管库文件中来对MOS管进行噪声仿真；如果仿真结果未覆盖噪声分布图中的噪声数据，则继续改变噪声参数的变化量的值进行仿真直到仿真结果能够覆盖噪声分布图中的噪声数据；如果仿真结果覆盖噪声分布图中的数据，则将相应的噪声参数的变化量的值代入到MOS管库文件中作为应用于噪声的MOS管模型。
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