[发明专利]碳纳米管/碳纳米纤维植入金属电极表层的方法无效
申请号: | 200710042897.4 | 申请日: | 2007-06-28 |
公开(公告)号: | CN101109098A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 丁桂甫;吴惠箐;姚锦元 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C25D15/00 | 分类号: | C25D15/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及的一种纳米材料技术领域的碳纳米管/碳纳米纤维植入金属电极表层的方法。本发明工序包括:对CNT/CNF进行预处理,将其切短、纯化及表面改性;通过超声分散、添加分散剂和/或高速匀浆处理,将CNT/CNF分散在电镀基础镀液中;运用电镀方法沉积金属/CNT(金属/CNF)复合镀层;采用磨光、抛光工艺整平复合薄膜;使用刻蚀剂对复合薄膜进行的化学/电化学刻蚀;对根植在电极表面的CNT/CNF进行功能化处理;对复合薄膜进行图形化处理。形成CNT/CNF一部分根植在金属基体中,其余部分暴露在外,均匀分布在电极表层的“植布”效果。本发明可以用于制备高性能场发射器件、气体离化传感器和电化学传感器等多种器件的CNT/CNF修饰电极。 | ||
搜索关键词: | 纳米 纤维 植入 金属电极 表层 方法 | ||
【主权项】:
1.一种碳纳米管/碳纳米纤维植入金属电极表层的方法,其特征在于,包括步骤如下:(1)首先对CNT/CNF进行预处理,将其切短、纯化,并根据目标器件使用要求进行表面改性处理;(2)然后将预处理后的CNT/CNF分散在电镀基础镀液中;(3)接着电镀沉积金属/CNT或金属/CNF复合镀层,制备出CNT/CNF均匀的复合薄膜;(4)再使用刻蚀剂对整平后的复合薄膜表层金属进行均匀地化学刻蚀,控制刻蚀深度,使表层CNT/CNF向外的一端暴露在金属基体之外,向内的根部仍然保留在基体中,形成CNT/CNF在金属电极表面的效果。
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