[发明专利]铝掺杂相变存储薄膜材料Alx(Ge2Sb2Te5)100－x及其制备方法无效
| 申请号： | 200710042918.2 | 申请日： | 2007-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101109056A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 李晶;魏慎金 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C22C29/00 | 分类号： | C22C29/00;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/54;G11B7/243;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于相变存储材料技术领域，具体为一种铝掺杂相变存储薄膜材料Alx(Ge2Sb2Te5)100－x及其制备方法。通过利用磁控溅射镀膜系统，采用双靶共溅射方式制备得到铝掺杂的Alx(Ge2Sb2Te5)100－x相变存储薄膜。与未经掺杂的Ge2Sb2Te5薄膜相比，该薄膜微结构与物性均发生了变化，研究结果表明，随着Al掺杂量的增加，样品的相变温度也有所上升，并且样品的面心立方(FCC)相更加稳定，有助于改善相变光盘的使用条件及寿命。同时，Al掺杂对Ge2Sb2Te5薄膜的反射对比度增强极为有利，可提高相变光存储读出信号的信噪比。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 相变 存储 薄膜 材料 al sub ge sb te 100 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铝掺杂相变存储薄膜材料，其特征在于该材料的化学结构式为：Alx(Ge2Sb2Te5)100-x，其中0＜x≤5，并利用磁控溅射系统，分别以金属铝和Ge2Sb2Te5为不同的溅射靶材，采用双靶共溅射法制备获得。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710042918.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
