[发明专利]一种采用液相外延法制备膜的方法

摘要

一种采用液相外延法制备膜的方法，首先，在设于生长炉中坩埚内的熔体熔点温度附近将籽晶杆上的衬底垂直进入熔体中，衬底上粘附一层熔体，籽晶杆上提，衬底与熔体脱离；旋转籽晶杆，使衬底上没有成膜的熔体脱离膜表面，衬底表面的熔体迅速固化形成膜；将炉体降温至室温，取下衬底获得生长膜；熔体上方空气温度控制在不低于熔体的凝固点温度；使衬底上吸附的熔体保持熔液状态，快速旋转籽晶杆，使衬底和被吸附的熔体快速旋转，非紧邻衬底面的熔体在高速旋转作用力的作用下被甩离衬底，这部分熔体脱离衬底表面；然后将籽晶杆上移至温度低于熔体凝固点的低温区，使衬底表面吸附的熔体在衬底的作用下固化结晶成膜，获得所需要生长的膜。

主权项

1.采用液相外延法制备膜的方法，首先，设置于生长炉中坩埚内的熔体熔点温度附近将固定在籽晶杆上的衬底垂直进入熔体中，衬底上粘附一层熔体，将籽晶杆上提，使衬底与熔体脱离进入空气中；然后迅速旋转籽晶杆，使衬底上没有成膜的熔体在旋转作用下脱离膜表面，在这个过程中衬底表面的熔体迅速固化形成膜；最后将炉体降温至室温，取下衬底获得生长膜；其特征是，在上述过程中，接近熔体的上方空气的温度控制在不低于熔体凝固点的温度；使深入到熔体中的衬底脱离熔体后，衬底上吸附的熔体保持熔液状态，在这种状态下快速旋转籽晶杆，速度为100～2000转/分钟，使衬底和被吸附的熔体快速旋转，非紧邻衬底面的熔体在高速旋转作用力的作用下被甩离衬底，使这部分熔体脱离衬底表面，将籽晶杆上移至温度低于熔体凝固点的低温区，使衬底表面吸附的熔体在衬底的作用下固化结晶成膜，获得所需要生长的膜。