[发明专利]在浮栅上形成微细图案的方法有效
| 申请号： | 200710043588.9 | 申请日： | 2007-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101345215A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 崔彰日;邱何 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/768;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在浮栅上形成微细图案的方法，在已经形成浮栅的硅衬底上依次形成多晶硅层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光、显影；对所得到的光刻胶图案进行热回流，通过控制回流温度和回流时间得到具有预定线宽和间隔的光刻胶图案；再将具有预定线宽和间隔的光刻胶图案转移到多晶硅层；进行后续制程。通过该方法，只采用KrF(ASML PAS/850C)扫描机和热回流KrF光刻胶，即可获得必须由更先进的ArF(ASML PAS/1150C)扫描机和ArF光刻胶才可以获得浮栅上间隔在80nm及以下的图案，而且制程容许度较之更大。 | ||
| 搜索关键词： | 浮栅上 形成 微细 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在浮栅上形成微细图案的方法，包括如下步骤：在已经形成浮栅的硅衬底上依次形成多晶硅层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光、显影，得到具有预定线宽和间隔的光刻胶图案；对所得到的光刻胶图案进行热回流，通过控制回流温度和时间得到要求的线宽和间隔；再将具有要求的线宽和间隔的光刻胶图案转移到多晶硅层；进行后续制程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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