[发明专利]CMOS图像传感器的光电信号处理电路及方法有效
申请号: | 200710043668.4 | 申请日: | 2007-07-11 |
公开(公告)号: | CN101345828A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 黄碧珍;万涛涛;任晓慧;曹庆红 | 申请(专利权)人: | 上海锐晶电子科技有限公司 |
主分类号: | H04N5/335 | 分类号: | H04N5/335 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201500上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了CMOS图像传感器的光电信号处理方法,包括在光敏二极管曝光前,在行复位信号为高电平时对光敏二极管复位;在行使能信号首次为高电平且复位采样控制信号为高电平时采样光敏二极管复位电压作为曝光前光敏二极管电压信号并暂存;在光敏二极管曝光后,在行使能信号再次为高电平且在曝光采样控制信号为高电平时采样曝光后光敏二极管电压信号;比较采样的曝光后与曝光前光敏二极管电压信号,并将比较结果作为图像信号输出。本发明还公开了CMOS图像传感器的光电信号处理电路。本发明CMOS图像传感器的光电信号处理电路及方法解决了相关二次采样不精确的问题,实现了精确相关二次采样,改善了图像质量。 | ||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 光电 信号 处理 电路 方法 | ||
【主权项】:
1.一种CMOS图像传感器的光电信号处理电路,其特征在于,包括,在接收的行复位信号为高电平时,对光敏二极管复位,并在接收的行使能信号首次为高电平时,输出光敏二极管复位电压作为曝光前光敏二极管电压信号以及在接收的行使能信号再次为高电平时,输出曝光后光敏二极管电压信号的像素单元;在接收的复位采样控制信号为高电平时,接收曝光前光敏二极管电压信号并输出曝光前电压采样信号以及在接收的曝光采样控制信号为高电平时,接收曝光后光敏二极管电压信号并输出曝光后电压采样信号的电压采样电路;根据接收的曝光前电压采样信号及曝光后电压采样信号进行比较,并将比较结果作为图像信号输出的电压比较电路。
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