[发明专利]减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200710043931.X | 申请日： | 2007-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101101451A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 焦新兵;魏劲松;干福熹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;B23K26/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构及其制备方法，该薄膜结构包括无机相变薄膜层和缓冲层，所述的无机相变薄膜层由AgInSbTe或GeSbTe或SbTe构成，所述的缓冲层由热导率高的金属或半导体材料构成。该薄膜结构采用直流磁控溅射法制备，本发明薄膜结构具有膜层结构简单、工艺易控制和基片要求低等优点。试验证明可以明显减小激光直写光刻点和线宽的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 激光 光刻 薄膜 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构，特征在于该薄膜结构包括无机相变薄膜层(1)和缓冲层(2)，所述的无机相变薄膜层(1)由AgInSbTe或GeSbTe或SbTe构成，所述的缓冲层(2)由热导率高的金属或半导体材料构成。
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