[发明专利]铝合金中杂质元素硅的去除方法无效
| 申请号： | 200710043984.1 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101086042A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 疏达;祝国梁;王俊;孙宝德 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C22C1/06 | 分类号： | C22C1/06;C22C21/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及的是一种金属材料技术领域的铝合金中杂质元素硅的去除方法。本发明通过在铝合金熔体中加入含钛物质，反应生成Ti(Al1－xSix)3或钛硅化合物捕获固溶铝合金熔体中的硅元素，然后通过净化工艺去除富硅化合物，实现熔体中硅元素的去除。本发明使用方便，操作工艺简单，成本低廉，在去除铝合金中杂质元素硅的同时不会造成合金元素含量的变化或带来其他有害杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 铝合金 杂质 元素 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铝合金中杂质元素硅的去除方法，其特征在于，通过在铝合金熔体中加入含钛物质，反应生成Ti(Al1-xSix)3或钛硅化合物捕获固溶铝合金熔体中的硅元素，然后通过净化工艺去除富硅化合物，实现熔体中硅元素的去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710043984.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电磁屏蔽装置及其制作方法
- 下一篇：一种淤泥处理方法
