[发明专利]一种在HSn70－1黄铜表面形成自组装单分子阻蚀膜的方法无效
| 申请号： | 200710044078.3 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101092698A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 徐群杰;万宗跃;黄诗俊 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | C23F11/00 | 分类号： | C23F11/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200090上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在HSn70－1黄铜表面形成自组装单分子阻蚀膜的方法，包括下列步骤：a.将HSn70－1黄铜先经0#～6#逐级打磨抛光、无水乙醇除油、去离子水洗净后，备用；b.将ATA配制成浓度为1×10－3mol/L的缓蚀剂溶液；c.将黄铜浸渍于ATA缓蚀剂溶液中，浸渍温度为20～30℃，浸渍时间为0.5～2小时，最终形成ATA自组装单分子阻蚀膜。本发明采用的ATA的缓蚀剂是一种绿色、环保缓蚀剂，对环境无危害。电化学数据表明，HSn70－1黄铜在ATA自组装溶液中成膜1h的腐蚀电流大大降低，仅为1.096μA·cm－2，缓蚀效率约96.69％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hsn70 黄铜 表面 形成 组装 分子 阻蚀膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在HSn70-1黄铜表面形成自组装单分子阻蚀膜的方法，包括下列步骤：a.将HSn70-1黄铜先经0#～6#逐级打磨抛光、无水乙醇除油、去离子水洗净后，备用；b.将ATA配制成浓度为1×10-3mol/L的缓蚀剂溶液；c.将上述处理过的HSn70-1黄铜浸渍于上述配制成的ATA缓蚀剂溶液中，浸渍温度为20～30℃，浸渍时间为0.5～2小时，最终在HSn70-1黄铜表面形成ATA自组装单分子阻蚀膜。
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