[发明专利]具有改善出光率的LED芯片及其制作工艺无效
| 申请号： | 200710044095.7 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101350384A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;邵春林 | 申请（专利权）人： | 上海宇体光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 200032上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明介绍了具有改善出光率的LED芯片及其制作工艺。根据本发明，具有第一导电类型的第一半导体材料层、活性发光层、第二导电类型的第二半导体材料层、以及分别设置于第一和第二半导体材料层上的第一和第二电极构成了LED芯片。其中，第二电极由透明电极和位于透明电极局部的第一加厚电极组成，而第一电极处在LED芯片的非几何边缘位置，并且被所述透明电极所环绕。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 出光率 led 芯片 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，包括：衬底；第一导电类型的第一半导体材料层；活性发光层；第二导电类型的第二半导体材料层，其中所述第一半导体材料层、活性发光层、和第二半导体材料层依次堆叠，部分第一半导体材料未被活性发光层和第二半导体材料层覆盖而暴露在外；和被暴露的部分第一半导体材料层电连接的第一电极；和第二半导体材料层电连接的第二电极，其中所述第二电极由透明电极和位于透明电极局部的第一加厚电极组成，所述第一电极处在LED芯片的非几何边缘位置，并且被所述透明电极所环绕。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宇体光电有限公司，未经上海宇体光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710044095.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种不锈钢用埋弧焊焊丝
- 下一篇：压型钢板机的电机双层切断装置
