[发明专利]用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料有效
| 申请号： | 200710044117.X | 申请日： | 2007-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101136274A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 杨胜麒;陈新华;傅翼;邵惠民;李蓉 | 申请（专利权）人： | 上海美星电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/04 | 分类号： | H01F1/04;H01F1/06 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 200233*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料，涉及一种组合物，以Fe2O3、Mn3O4、ZnO三种材料为主要原料，并适量掺入杂质，主要原料的三种金属离子的摩尔比为：Fe3+∶Mn2+∶Zn2+＝5.3∶1.20～1.21∶1，杂质掺杂量占总质量百分比的0.05～0.2％。本发明的有益效果是：初始磁导率达到6500±25％，同类产品为6000±30％，常温饱和磁感应强度为480mT，而同类产品为410mT，截止频率500KHz，同类产品为400KHz，温度范围－20℃～160℃，同类产品为－20℃～140℃，比损耗因子tanδ/μi 10×10－6，同类产品为15×10－6，本发明的磁性材料能同时符合差模抑制器和共模抑制器对磁性性能的不同要求。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电磁 干扰 抑制 磁性材料 | ||
【主权项】：
1.一种用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料，以Fe2O3、Mn3O4、ZnO三种材料为主要原料，并适量掺入杂质，其中，主要原料的三种金属离子的摩尔比为：Fe3+∶Mn2+∶Zn2+＝5.3∶1.20～1.21∶1，杂质掺杂量占总质量百分比为0.05～0.2％。
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