[发明专利]近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法无效
申请号: | 200710044240.1 | 申请日: | 2007-07-26 |
公开(公告)号: | CN101101931A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 张群;李桂锋;李喜峰 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/18;H01L33/00;H01L21/203;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/06;H01B1/08;H01B13/00 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于透明导电薄膜技术领域,具体为近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In2O3:M(M=Mo,W)。本发明以普通玻璃为基板,利用铟金属掺钼或钨的镶嵌靶,在基板温度为室温的条件下采用反应直流磁控溅射技术,在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有非晶结构的In2O3:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、相对高的载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在柔性太阳能电池领域和近红外传感器等领域具有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 红外 透射率 透明 导电 氧化物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜,其特征在于是一种掺杂氧化铟薄膜In2O3:M,M为Mo或W,由反应直流磁控溅射方法制备获得,其中,钼和钨以六价态离子存在于薄膜之中,薄膜厚度为80-150nm,可见光区域的平均透射率高于80%,近红外区域的平均透射率亦大于80%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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