[发明专利]光刻图案的形成方法和双镶嵌结构的制造方法无效
| 申请号： | 200710044343.8 | 申请日： | 2007-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101355034A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 郝静安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光刻图案的形成方法，包括：提供具有介质层的半导体基底，在所述介质层中具有第一开口；在所述第一开口中和介质层上形成第一材料层，所述至少填满所述第一开口；在所述第一材料层上形成第二材料层；在所述第二材料层上形成光刻胶层，并图形化该光刻胶层形成第二开口图案，至少一第二开口图案位于所述第一开口上方。本发明还提供一种双镶嵌结构的制造方法。本发明形成的光刻图案的线宽具有较好的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 图案 形成 方法 镶嵌 结构 制造 | ||
【主权项】：
1、一种光刻图案的形成方法，其特征在于，包括：提供具有介质层的半导体基底，在所述介质层中具有第一开口；在所述第一开口中和介质层上形成第一材料层，所述第一材料层至少填满所述第一开口；在所述第一材料层上形成第二材料层；在所述第二材料层上形成光刻胶层，并图形化该光刻胶层形成第二开口图案，至少一第二开口图案位于所述第一开口上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
