[发明专利]隔离环基层、隔离环基层掩膜版及隔离环基层形成方法有效
| 申请号： | 200710044352.7 | 申请日： | 2007-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101355057A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 邓永平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/76;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种隔离环基层，所述隔离环基层位于半导体基底上，所述隔离环基层包含隔离槽及填充所述隔离槽的隔离物，所述隔离环基层内包含至少两个隔离槽，所述隔离槽间隔分布于所述隔离环基层内。一种隔离环基层掩膜版，所述隔离环基层掩膜版包含至少一个隔离槽图形区，每一所述隔离槽图形区内包含至少两个隔离槽图形，各所述隔离槽图形间隔分布于所述隔离槽图形区内。一种隔离环基层形成方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上沉积介质层；利用隔离环基层掩膜版，刻蚀所述介质层，以在所述半导体基底上形成包含至少两个隔离槽的隔离环区；形成填充所述隔离槽的隔离物层。可减少隔离环内隔离槽间的连通。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 基层 掩膜版 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种隔离环基层，所述隔离环基层位于半导体基底上，所述隔离环基层包含隔离槽及填充所述隔离槽的隔离物，其特征在于：所述隔离环基层内包含至少两个隔离槽，所述隔离槽间隔分布于所述隔离环基层内。
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