[发明专利]一种第一层金属的制作方法无效
| 申请号： | 200710044550.3 | 申请日： | 2007-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101359617A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 王学娟;刘杰;周文磊;何萍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种第一层金属的制作方法，该第一层金属制作在已制成接触孔的半导体器件上，且其从下至上依次包括一粘附层和一扩散阻挡层。现有技术在制作第一层金属时在去除自然氧化层后并未进行热处理，而使水蒸气残留形成气泡状缺陷。本发明的方法先去除自然氧化层；然后进行热处理，其中，该热处理的温度范围为350到680摄氏度，时间范围为30到60秒；接着制作粘附层；最后制作扩散阻挡层。本发明的方法可将去除自然氧化层后所残留的水蒸气彻底去除，从而可避免第一层金属上出现气泡状缺陷，并可大大提高第一层金属的牢固性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一层 金属 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种第一层金属的制作方法，该第一层金属制作在已制成接触孔的半导体器件上，且其从下至上依次包括一粘附层和一扩散阻挡层，该制作方法包括以下步骤：(1)去除自然氧化层；(2)制作粘附层；(3)制作扩散阻挡层；其特征在于，该方法在步骤(1)与步骤(2)间还进行热处理步骤，其中，该热处理的温度范围为350到680摄氏度，时间范围为30到60秒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710044550.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
