[发明专利]光刻装置的对准方法及系统

摘要

本发明提供一种光刻装置的对准方法及系统，该方法首先移动对准掩膜图形与工件台基准板对准图形，同步对掩膜台与工件台的位置数据进行采样，并对脉冲辐射探测信号进行扩展采样，再对得到的采样值进行自适应滤波去噪处理，并对脉冲辐射激发数进行判断，然后得出每个脉冲辐射的能量值，并用所得的能量值及其对应的对准掩膜图形与工件台图形间的相对位置得到模型参数，用所述模型参数得到对准掩膜图形相对工件台图形之间的位置关系，最后将该位置关系用于校准对准掩膜图形坐标系坐标相对工件台坐标系坐标之间的关系。与现有技术相比，本发明的技术方案有效地提高了光刻装置的对准精度，并延长了光刻装置中脉冲辐射发生器的使用寿命。

主权项

1、一种光刻装置的对准方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：a.启动对准扫描，使对准掩膜图形与工件台基准板对准图形相对移动；b.同步对掩膜台与工件台的位置数据进行采样，并对脉冲辐射探测信号进行扩展采样；c.对脉冲辐射探测信号扩展采样得到的采样值进行自适应滤波去噪处理；d.对脉冲辐射激发数进行判断，若其少于设定的激发数，转至步骤b，否则转到步骤e；e.将脉冲辐射探测信号扩展采样值经过自适应滤波去噪后的值用于逼近脉冲模型，得到每个脉冲辐射的能量值；f.用得到的每个脉冲辐射能量值及其对应的对准掩膜图形与工件台图形间的相对位置逼近模型得到相应的模型参数，用所述模型参数得到对准掩膜图形相对工件台图形之间的位置关系；g.完成对准扫描，将步骤f的结果用于校准对准掩膜图形坐标系坐标相对工件台坐标系坐标之间的关系。