[发明专利]沟槽的填充方法及浅沟槽隔离的制造方法有效
| 申请号： | 200710044560.7 | 申请日： | 2007-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101359596A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 张文广;刘明源 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种沟槽的填充方法，包括：提供具有沟槽的半导体结构；执行第一阶段化学气相沉积，在所述半导体结构及沟槽表面形成第一膜层，所述第一膜层的厚度小于所述沟槽的深度；对所述第一膜层执行氧气等离子体处理；执行第二阶段化学气相沉积，在所述第一膜层上形成第二膜层，该第二膜层至少填满所述沟槽；对所述第二膜层执行氧气等离子体处理。本发明还提供一种浅沟槽隔离的制造方法。本发明在对沟槽填充时不会产生或产生较少的SRO颗粒缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 填充 方法 隔离 制造 | ||
【主权项】：
1、一种沟槽的填充方法，其特征在于，包括：提供具有沟槽的半导体结构；执行第一阶段化学气相沉积，在所述半导体结构及沟槽表面形成第一膜层，所述第一膜层的厚度小于所述沟槽的深度；对所述第一膜层执行氧气等离子体处理；执行第二阶段化学气相沉积，在所述第一膜层上形成第二膜层，该第二膜层至少填满所述沟槽；对所述第二膜层执行氧气等离子体处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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