[发明专利]光刻的曝光方法及曝光系统有效
| 申请号： | 200710044562.6 | 申请日： | 2007-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101359181A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 张飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻的曝光方法，包括步骤：利用检测片检测杂散光在衬底上的分布情况；确定待曝光场在所述衬底上的位置；根据所述检测片检测得到的杂散光的分布情况及所述位置，计算所述待曝光场的杂散光平均值；根据所述待曝光场的杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；按照所述曝光参数对所述待曝光场进行曝光；移至所述衬底上的下一个待曝光场，重复上述确定待曝光场位置、计算杂散光平均值、确定曝光参数及曝光的步骤，直至所述衬底上的各曝光场均完成曝光。本发明还公开了一种可以实现本发明的曝光方法的曝光系统，采用本发明的曝光方法或曝光系统，可以弥补杂散光对形成的图形的尺寸的影响，提高图形尺寸的准确性及一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 曝光 方法 系统 | ||
【主权项】：
1、一种光刻的曝光方法，其特征在于，包括步骤：利用检测片检测杂散光在衬底上的分布情况；确定待曝光场在所述衬底上的位置；根据所述检测片检测得到的杂散光的分布情况及所述位置，计算所述待曝光场的杂散光平均值；根据所述待曝光场的杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；按照所述曝光参数对所述待曝光场进行曝光；移至所述衬底上的下一个待曝光场，重复上述确定待曝光场位置、计算杂散光平均值、确定曝光参数及曝光的步骤，直至所述衬底上的各曝光场均完成曝光。
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