[发明专利]改进的存储式离子迁移率谱仪及其控制方法有效
| 申请号： | 200710044765.5 | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101363815A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张延会;赵文渊;孙刚;张燊 | 申请（专利权）人： | 上海新漫传感技术研究发展有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/64 | 分类号： | G01N27/64 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储式离子迁移率谱仪，包括电离区和漂移区，在该电离区和漂移区之间设置有离子存储区。该离子存储区包括第一栅网电极、电离腔、第二栅网电极和第三栅网电极，该第一栅网电极置于电离腔前，该第二栅网电极置于电离腔后，第三栅网置于第二栅网电极后、漂移区前。所述第一栅网电极可为栅网状，第二栅网电极可为圆环形栅极，第三栅网电极可为丝网状。本发明采用离子存储结构取代离子门，具有存储离子的功能，样品离子产生后，在脉冲关闭期间，样品离子被限制在离子存储区，而不是直接打到离子门上损失掉，通过在电离腔和第三栅网电极上加电压脉冲使离子存储后进入漂移区，从而可以提高样品离子的检出效率，从本质上有效提高了仪器检测灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 存储 离子迁移率 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.改进的存储式离子迁移率谱仪，包括电离区和漂移区，其特征在于：在该电离区和漂移区之间设置有离子存储区。
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