[发明专利]半导体器件中铜的电镀方法有效
| 申请号： | 200710044800.3 | 申请日： | 2007-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101364542A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘艳吉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/445;C25D7/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件中铜的电镀方法，包括步骤：将衬底放置于电镀设备内；提供第一电镀电流对所述衬底进行第一电镀处理；提供第二电镀电流对所述衬底进行第二电镀处理，且所述第二电镀电流大于所述第一电镀电流；提供第三电镀电流对所述衬底进行第三电镀处理，且所述第三电镀电流大于所述第二电镀电流；提供第四电镀电流对所述衬底进行第四电镀处理，且所述第四电镀电流大于所述第三电镀电流。本发明的铜的电镀方法，采用了四步电镀的方法，兼顾了对填充质量及生产效率两方面要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电镀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件中铜的电镀方法，其特征在于，包括步骤：将衬底放置于电镀设备内；提供第一电镀电流对所述衬底进行第一电镀处理；提供第二电镀电流对所述衬底进行第二电镀处理，且所述第二电镀电流大于所述第一电镀电流；提供第三电镀电流对所述衬底进行第三电镀处理，且所述第三电镀电流大于所述第二电镀电流；提供第四电镀电流对所述衬底进行第四电镀处理，且所述第四电镀电流大于所述第三电镀电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
