[发明专利]MIM电容器及其制造方法、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710044814.5 | 申请日： | 2007-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101364532A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 胡友存 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/822;H01L21/768;H01L29/92;H01L27/04;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MIM电容器的制造方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层，平坦化所述第二金属层；在所述第二金属层上形成介质层；在所述介质层上形成第三金属层；图形化所述第三金属层、介质层、第二金属层和第一金属层，形成以第一金属层图形和第二金属层图形为下极板、第三金属层图形为上极板、介质层图形为电介质的MIM电容器。本发明还提供一种MIM电容器，本发明还提供一种半导体器件及其制造方法。本发明能够提高MIM电容器下极板的平坦度。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容器 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种MIM电容器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层，平坦化所述第二金属层；在所述第二金属层上形成介质层；在所述介质层上形成第三金属层；图形化所述第三金属层、介质层、第二金属层和第一金属层，形成以第一金属层图形和第二金属层图形为下极板、第三金属层图形为上极板、介质层图形为电介质的MIM电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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